2.4 二十世纪末期的提高性能期

　　1998年之后，由于国内狠抓建筑质量促使对小钢厂进行大范围整顿，很多省制定政策限制容量小于500kW的中频电源使用，促使国内开发单机容量 1000kW以上的中频电源，因而推动了快速晶闸管制造水平的进一步提高，如今国内已能生产单管电流容量达2000A、2500A的快速晶闸管元件，但关断时间对1500A以上的晶闸管仍然很难降到20µs以下，更为了解决大中频电源的重炉起动问题，国内电力电子行业开发出了第五代中频电源控制板，这就是不要同步变压器的自对相和相序自适应的扫频起动板，使晶闸管中频电源的性能和水平上了一个很高的档次。

　　再应该提到，为了解决电网的污染问题，提高效率，借助于IGBT及MOSFET水平提高、容量的扩大和成本的下降，国内感应加热用中变频电源已在小容量领域从晶闸管设备向以IGBT和MOSFET为主功率器件的高频电源过渡(工作频率为20kHz~200kHz范围)，并已批量投入工业生产中应用，在此领域生产量比较大的有保定红星高频设备厂等企业，但由于IGBT或MOSFET等器件应用技术在国内大多数企业还不是很成熟，因而决定了高频电源的生产企业相对还很少。

　　3、感应加热用中高频电源技术的现状

　　我国感应加热用中高频电源从无到有，经过了上述的四个发展阶段已在国内形成很大的规模，并已用于冶金、电力、石油、化工、电子等行业的焊接、淬火、熔炼、透热、保温等领域，其发展现状可以概括为以下几点：

　　(1) 以晶闸管为主功率器件的感应加热中频电源已覆盖了工作频率为8kHz以下的所有领域，其单机功率容量分50、160、250、500、1000、2000、2500、3000kW几种，工作频率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz几种。

　　(2) 中频电源中三相全控整流桥的触发器已告别了分立器件构成的多块板结构，现多为集脉冲形成、保护、功率放大、脉冲整形于一体的单一大板结构(内含逆变桥的脉冲产生与功放和调节器)。

　　(3) 中频电源中三相整流桥的晶闸管触发脉冲产生已从应用同步变压器，现场调试需对相序的控制模式逐步向不用同步变压器的具有相位自适应功能的触发器过渡。

　　(4) 晶闸管中频电源的启动方式已从撞击式起动、零压起动、内外桥转换起动过渡到扫频起动，其控制技术已从电压或电流闭环调节进步到恒功率控制，从而使中频电源的控制效果更好，提高了用户使用的效率。

　　(5) 中频电源用快速晶闸管的单管容量已达2500A/2500V，其最短关断时间已达15µs，与中频电源配套的无感电阻高频电容等制造技术得到了长足的进步，为晶闸管中频电源的制作带来了极大的方便。

　　(6) 晶闸管中频电源的零部件及配套件如散热器、熔断器、电抗器、控制板已标准化、系列化、批量生产化、给晶闸管中频电源的制造商及维护人员带来了极大的方便。

　　(7) MOSFET和IGBT等全控型电力半导体器件的容量已日益扩大，既奠定了中高频电源的器件基础，与IGBT及MOSFET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化，给中高频和超音频感应加热电源奠定了基础和保证，带来了极大的方便。

　　(8) 在国内单机容量在500kW以上的感应加热中频电源基本上是清一色的晶闸管电源，但工作频率最高不超过8kHz，容量最大已达4000kW，国内有些企业正在开发单机容量达6000kW的晶闸管中频电源，以IGBT和MOSFET为主功率器件的中高频电源，在国内已有批量生产的企业，但生产量相对晶闸管中频电源来说还是很少，其单机容量在200kW以内，工作频率基本上都在20kHz~200kHz范围，超过20kHz的中高频电源基本上都是应用 MOSFET，由于MOSFET到今仍然难以制作出同时满足高电压、大电流的条件，所以不得不采用多个MOSFET并联的方案，从目前使用的实际情况来看，有直接将MOSFET并联，再逆变获得较大功率输出;也有直接将MOSFET构成逆变桥，再多个逆变桥并联的;应特别注意两种实现方法都有均流的问题，后者不但有数个逆变器并联均流的问题，而且有数个逆变桥输出同相位、同幅值并联的问题，同时这种方案造成控制系统有多个控制单元。